램 리서치(LRCX) 1Q27 실적 컨퍼런스콜 한글 전문

2026-10-21 발표

핵심 요약

1Q27 매출 8,220백만 달러(YoY +54.4%)로 컨센서스 하회, 비GAAP OPM은 40.2%로 사상 첫 40% 돌파
2Q27 가이던스는 매출 86억 달러, 비GAAP EPS 2.33달러 제시로 애널리스트 컨센서스 밑도는 수준
2026년 시스템 매출 YoY 40% 이상 성장 및 2027년 WFE 2,000억 달러 초과 전망 제시

전문 앞부분

티모시 아처

감사합니다, 램 씨. 오늘 함께해 주신 모든 분들께도 감사드립니다. 지난 9월 분기에도 램은 다시 한 번 기록적인 매출과 수익성을 달성했으며, 총이익률, 영업이익률, 그리고 EPS 모두 사상 최고치를 경신했습니다. 특히 영업이익률은 처음으로 40%를 넘어섰습니다. 올해 전반에 걸친 우리의 성과는 AI가 전례 없는 반도체 수요와 장치 복잡성의 증가를 이끌고 있는 가운데, 당사 제품 포트폴리오의 광범위한 강점과 끊임없는 운영 실행력에 대한 집중을 잘 보여줍니다. 또한, 12월 분기 가이던스의 중간 예상치를 포함해, 2026년 연간 시스템 매출은 전년 대비 40% 이상 성장할 것으로 예상됩니다. 모든 종류의 장치와 첨단 패키징 솔루션에서 증착 및 식각 공정의 강도가 지속적으로 높아지면서, 램에게는 더욱 큰 기회가 열리고 있습니다.

지난 몇 년간 장치 복잡성의 증가와 더 나은 3D 스케일링 추구로 인해, WFE(웨이퍼 처리 설비) 대비 우리 회사의 서비스 가능 시장(Served Available Market, SAM) 규모는 4%포인트 확대되었습니다. 이러한 확대된 SAM을 타깃하는 제품들로부터의 점유율 상승까지 더해져, 2026년은 우리가 WFE 시장에서 세 번째 연속으로 초과 성장을 기록하는 해가 될 것으로 예상됩니다.

2026년 연간 WFE는 약 1,500억 달러 중반 수준으로 예상되며, 2027년의 초기 전망에서는 DRAM이 가장 높은 성장률을 보이며, 그 뒤를 선진 파운드리 로직과 NAND가 이을 것으로 보입니다. 전체적으로 2,000억 달러를 상회하는 WFE 지출이 예상되며, 성장률은 DRAM이 주도하고, 이어 선진 파운드리 로직과 NAND가 뒤를 이을 것입니다.

2027년으로 접어들면서, 클린룸 공간의 가용성과 일부 부품에 대한 공급망 제약이 계속해서 칩 제조사들과 장비 업체들의 최종 수요 충족 능력을 제한하고 있습니다. 당사는 공급업체들과 적극 협력하여 그들의 생산능력 확대 계획을 가속화하고 있으며, 향후 예상되는 강력한 수요를 충족시키기 위해 램이 매우 유리한 위치에 있다고 확신합니다.

WFE 성장 전망의 근본에는 기업과 소비자들의 AI 도입이 지속적으로 가속화되고 있다는 사실이 자리하고 있습니다. 최근 보고에 따르면, 평균 주간 토큰 사용량이 지난 18개월 동안 약 250배나 증가했습니다. AI가 점차 자율적이고 에이전트 중심의 워크플로우로 진화함에 따라, 컴퓨팅, 메모리, 스토리지 솔루션에 대한 수요도 계속해서 확대되고 있습니다.

예를 들어, NAND 분야에서는 AI 성능과 경제성이 서로 다른 워크로드에 최적화된 여러 등급의 스토리지를 요구하고 있습니다. QLC는 현재 급증하는 AI 데이터 양을 저렴하게 저장하는 데 사용되며, TLC 스토리지는 컨텍스트 메모리와 KB 캐시 워크로드를 위한 고대역폭 계층으로 활용됩니다. 또한 SLC 등급 NAND는 에이전트형 AI에서 낮은 지연시간과 고속 접근을 필요로 하는 응용 분야로 부상하고 있습니다.

SLC 스토리지 계층의 도입은 NAND 웨이퍼 용량의 중요한 성장 요인이 될 수 있다고 믿습니다. TLC에서 SLC 등급 디바이스로 전환하면, 단위당 비트 수가 약 3배 줄어듭니다. 다시 말해, NAND 비트 구성에서 SLC 등급 디바이스 비중이 1%포인트 증가할 때마다, 동일한 비트 수요를 지원하기 위해 약 2%의 추가 웨이퍼 설치 용량이 필요하게 됩니다. 비트 수요의 추가 증가는 웨이퍼 용량 수요를 더욱 확대할 것입니다.

우리는 앞으로 모든 3개의 스토리지 등급이 성장하며, NAND의 가치와 전략적 중요성이 더욱 커질 것으로 기대합니다. 램은 이러한 변화의 핵심 수혜자로 가장 적합하다고 판단됩니다. 당사는 업계 최대 규모의 NAND 시스템 설치 기반을 보유하고 있으며, 모든 핵심 증착 및 식각 공정을 아우르는 포괄적인 제품 포트폴리오를 갖추고 있습니다.

NAND 비트 수요의 증가는, 기존 설치 기반의 업그레이드나 신규 용량 추가를 통해 충족되든 간에, 램의 장비와 기술에 대한 추가 수요를 창출할 것입니다. 파운드리 로직과 DRAM 역시 AI의 새로운 성능 요구를 충족하기 위해 비슷한 수준의 장치 개발이 진행되고 있습니다. 첨단 패턴링과 백면 전원 공급부터 차세대 패키징에 이르기까지, 향후 몇 년간 램에게는 수십억 달러 규모의 SAM 확대와 점유율 확보 기회가 열려 있습니다.

파운드리 로직과 DRAM 제품에 대한 당사의 목표 지향적 투자가 2026년 연간 실적에서도 그 효과를 드러내고 있습니다. 이 두 시장 세그먼트는 올해 들어 현재까지 램 시스템 매출 성장의 약 80%를 차지했습니다. 파운드리, 로직, DRAM의 첨단 패턴링 요구에 대한 당사의 집중은 좋은 사례입니다. 각 기술 노드마다 EUV 패턴 정밀도와 결함 관리 요구가 더욱 엄격해짐에 따라, 램의 Acara 식각, 도체 식각, 그리고 ether 건식 레지스트 장비들이 앞서가는 스케일링 역량을 제공하기 위해 맞물려 작동하고 있습니다.

특히 이러한 장비들은 고객들에게 웨이퍼 출력 극대화가 매우 중요한 시점에 DRAM 스케일링의 생산성을 높이는 데에도 기여하고 있습니다. 여러 칩 제조사들이 Acara를 채택하여 매우 높은 아스펙트 비율의 구조물을 뛰어난 프로파일 제어로 식각하면서도, 동시에 웨이퍼 간 및 로트 간 변동성을 최대 50%까지 줄이고, 웨이퍼당 생산량을 최대 50%까지 높이고 있습니다.

마찬가지로, 램의 ether 건식 레지스트 솔루션은 고 NA EUV와의 높은 정밀도에서 최대 10nm 이하의 해상도를 입증했습니다. 이는 노광 조건을 10% 낮추어 스캐너의 생산성을 향상시키고, 웨이퍼당 패턴링 비용을 절감하는 데에도 기여합니다. Ether 솔루션은 이미 저 NA EUV를 사용하는 HBM 대량 생산에서 본격적으로 적용되고 있으며, DRAM과 파운드리 로직 고객들을 포함해 향후 추가 도입 기회가 더 많을 것으로 예상됩니다.

결과적으로, 우리는 이번 10년 말까지 EPA 관련 누적 매출이 약 25억 달러에 이를 것으로 예상하며, 이는 당초 예상보다 약 10억 달러 높은 수준입니다. 백면 전원 공급 역시 램의 강점과 증착·식각 기술이 잘 드러나는 또 다른 사례입니다. 전원과 신호 라우팅을 분리함으로써 백면 금속화를 두껍게 할 수 있어 저항을 줄이고 전력 효율을 높일 수 있습니다. 고객들이 2nm 이하의 백면 전원 공급을 확대함에 따라, 당사의 생산 검증된 Vector, Sabre, Flex 장비들이 이 작업에 매우 적합합니다. Vector는 독특한 쿼드 아키텍처로 업계 최고 수준의 웨이퍼 간 재현성과 웨이퍼당 일관성을 제공합니다. Sabre는 높은 생산성과 우수한 수상 성능으로 글로벌 업계의 전기 도금 벤치마크로 자리매김했습니다. Flex는 차별화된 소형 챔버 설계와 제한된 플라즈마를 활용해 낮은 결함 발생률로 고처리량의 유전체 식각을 제공합니다. 또한, 몰리브덴과 같은 신소재들도 도입되어 웨이퍼의 백면과 전면 사이의 전기적 연결을 더욱 효율적으로 만들어주고 있습니다.

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